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IXTH03N400
IXTV03N400S
350
Fig. 7. Input Admittance
400
Fig. 8. Transconductance
300
250
350
300
250
T J = - 40oC
25oC
200
150
100
50
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
200
150
100
50
0
125oC
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
50
100
150
200
250
300
V GS - Volts
I D - MilliAmperes
900
800
700
600
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
9
8
7
V DS = 1000V
I D = 150mA
I G = 1mA
Fig. 10. Gate Charge
6
500
5
400
300
4
3
200
100
0
T J = 125oC
T J = 25oC
2
10.0 1
0
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
1,000
Ciss
2.0
1.0
adad
100
Coss
10
Crss
f = 1 MHz
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_03N400(3P)10-27-09
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